材料特性直接決定蝕刻工藝路徑，從單晶硅到化合物半導體，需匹配特定蝕刻劑與設備參數(shù)。
硅基材料的蝕刻策略
單晶硅：干法蝕刻常用SF?/C?F?混合氣體，SF?負責刻蝕，C?F?生成鈍化層控制側(cè)壁形貌。
多晶硅：需更高離子能量打破晶界屏障，通常采用BCl?/Cl?氣體組合提升各向異性。
寬禁帶半導體的挑戰(zhàn)
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因化學惰性強，傳統(tǒng)硅蝕刻配方效率低。解決方案包括：
高溫蝕刻：將腔體加熱至300℃以上，增強反應氣體（如Cl?）與SiC的活性。
金屬輔助蝕刻：在表面沉積鎳層作為催化劑，提升蝕刻速率3-5倍。
金屬與介質(zhì)的兼容性
銅布線蝕刻易產(chǎn)生殘留，行業(yè)轉(zhuǎn)向“大馬士革工藝”（先蝕刻介質(zhì)層再填銅）。鋁蝕刻則需控制Cl?/BCl?比例，避免腐蝕設備腔體。
